碳化矽晶圓製程平台

鴻揚半導體提供完整的 6 吋 SiC 晶圓製程平台與製造代工服務，包含工業用與車用蕭特基二極體 (Schottky Barrier Diodes ; SBD)、功率金氧半場效電晶體 (Power MOSFET) 技術平台，耐壓範圍涵蓋 650V 至 3300V，致力於代工服務品質、速度、工程技術服務、品質，成為客戶長期信賴的合作夥伴。

客戶可透過鴻揚半導體的技術支援服務，進行製程與電性模擬 (TCAD Simulation)，加速產品開發進程。鴻揚半導體透過一站式製程解決方案 (Turn-key Solution)，提供包含適用於碳化矽之磊晶晶圓生產 (SiC Epitaxy Wafer)，及專用於碳化矽晶圓製程所需的高溫離子植入 (High Temperature Implant)、高溫退火 (High Temperature Annealing)、薄膜與金屬沉積 (Film/Metal Deposition)、晶背研磨 (Back-side Grinding)、晶背金屬沉積 (Back-side Metallization)、晶圓允收測試 (Wafer Acceptance Test；WAT) 與晶圓針測 (Chip Probing；CP) 服務，協助客戶享有完整的碳化矽晶圓製造服務。